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详细叙述非晶硅太阳电池的高效率化

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详细叙述非晶硅太阳电池的高效率化

发布日期:2018-06-11 00:00 来源:金沙官网 点击:

    深圳太阳能板厂家-金沙平台详细叙述非晶硅太阳电池的高效率化

    非晶硅太阳能电池板的发电层,即I层的膜质量不仅对太阳电池的初期特性有影响,对光衰减特性也有很大影响。I层一般采用a-Si: H,单结太阳电池的太阳光谱灵敏度除涂层吸收的影响外,主要受I层光学的禁带宽度以及膜厚度的制约。当光学的禁带宽度一定时,I层越厚,越能有效吸收太阳光;然而I层内电场较弱部分则与载流子的输送特性降低有关。相反,若厚度越薄,I层整个区域内都存在强电场,填充因子就会改善,但是通过低光吸收会带来短路电流下降。由两者的平衡来决定I层的最佳膜厚。

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  非晶硅太阳能电池板形成用的等离子CVD装置的变迁。开发起初用的是在较低真空条件下,使半导体层全部在一个反应室内形成的单室方式。 但是,I层中的氧和氮等杂质混入P层和N层的掺杂层等会使a-Si: H膜的膜质量下降。为了降低杂质量,提出使各层在不同反应室成膜的连续分离形成方式。再进一步,又提出其发展型,即超高真空型分离形成装置。这是为了防止各层间的污染,需要使PI-N各层的反应室完全独立。另外,可以抑制反应室壁的脱气作用,提高真空度,通过提供的高纯度气体,可能会有效地减少a-Si: H膜中的杂质量,氧和碳约为2X1018原子/cm-3,氮约为1017原子/cm3,与以前的单室方式反应装置相比,能使杂质大幅度降低10%以上。

   

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